Компания Goodram Industrial, принадлежащая Wilk Elektronik SA, анонсировала SSD семейства M1000 Gen 2, обладающие повышенной надёжностью. Устройства ориентированы на применение в коммерческом и промышленном секторах: это могут быть встраиваемые решения, системы автоматизации, индустриальные компьютеры и пр.

Изделия выполнены в SFF-стандарте с применением чипов флеш-памяти BiCS5 3D TLC NAND. Для подключения служит интерфейс SATA-3. Заявленная скорость передачи данных составляет до 550 Мбайт/с при чтении и до 510 Мбайт/с при записи.

Источник изображения: Goodram Industrial

В серию M1000 Gen 2 входят модели вместимостью 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C. Каждый накопитель, как утверждается, проходит строгие испытания качества, включая тестирование в климатической камере, имитирующей сложные условия окружающей среды (перепады температуры, влажность).

Среди поддерживаемых технологий упомянуты средства Over-provisioning (резервируют некоторый объем SSD под нужды контроллера), инструмент управления питанием Low Power Management, функции контроля износа (Static and Dynamic Wear Leveling) и управление поврежденными блоками (Bad Block Management).

Компания Pure Storage, специализирующаяся на All-Flash СХД, считает, что дальнейшее увеличение вместимости SSD будет сопряжено с рядом трудностей, продиктованных необходимостью применения DRAM. Об этом, как сообщает ресурс Blocks & Files, рассказал Шон Роузмарин (Shawn Rosemarin), вице-президент Pure по исследованиям и разработкам.

По его словам, коммерческим SSD требуется примерно 1 Гбайт DRAM на каждый 1 Тбайт флеш-памяти. Наличие DRAM необходимо для подсистемы Flash Translation Layer (FTL). По словам Роузмарина, для накопителя ёмкостью 30 Тбайт требуется 30 Гбайт DRAM, для 75 Тбайт — 75 Гбайт и т. д. Таким образом, для SSD вместимостью, например, 128 Тбайт нужно 128 Гбайт DRAM, а это уже сопоставимо с объёмом ОЗУ в сервере.

Источник изображения: Pure Storage

Роузмарин отмечает, что увеличение вместимости корпоративных SSD свыше 30 Тбайт будет проблематично. Во-первых, DRAM заметно дороже NAND, что приведёт к значительному росту стоимости SSD. Во-вторых, из-за увеличения объёма DRAM возрастает энергопотребление, что не только поднимет стоимость владения, но и ухудшит надёжность накопителя. В результате по мере роста вместимости SSD заказчики могут столкнуться с серьёзным увеличением затрат.

Роузмарин заявляет, что единственный способ обойти указанные проблемы — найти более экономичную и менее энергозатратную альтернативу DRAM. Необходимые функции, по его словам, могут быть перенесены непосредственно на ПО СХД. Именно такой подход Pure реализует со своими проприетарными накопителями DFM (Direct Flash Module), последняя модификация которых имеет ёмкость 75 Тбайт. В этих устройствах отсутствует зависимость от DRAM на уровне накопителей.

Компания намерена выпустить DFM ёмкостью 150 Тбайт в 2025 году, а на 300 Тбайт — ориентировочно в 2026-м. В дальнейшие планы входит создание изделий вместимостью 600 Тбайт и 1,2 Пбайт. Аналогичного подхода придерживается и IBM в своих накопителях FlashCore Modules (FCM).