Компания Apacer анонсировала SSD серий SV24E-25, SV24E-M280, PV19E-25W, PV19E-25M и PV16E-M280, предназначенные для применения во встраиваемых системах, оборудовании корпоративного класса, промышленных устройствах и пр. Все новинки построены на микрочипах флеш-памяти 3D TLC. Диапазон рабочих температур изделий простирается от 0 до +70 °C.

Решения SV24E-25 выполнены в формате SFF с интерфейсом SATA-3. Вместимость варьируется от 240 Гбайт до 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 510 Мбайт/с. Показатель IOPS при произвольной записи — до 80 тыс. Говорится о поддержке TCG Opal 2.0 и шифрования AES-256. Показатель DWPD > 1. Изделия SV24E-M280 имеют аналогичные характеристики, но получили типоразмер М.2 2280.

Источник изображения: Apacer

Накопители PV19E-25W выполнены в формате U.3 (SFF-TA-1001) с толщиной корпуса 15 мм. Интерфейс подключения — PCIe 4.0 x4. Ёмкость составляет от 1,6 до 12,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 6800 Мбайт/с. Значение IOPS при произвольной записи достигает 480 тыс., а величина DWPD > 3.

Решения PV19E-25M формата U.3 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 доступны в вариантах вместимостью от 1,92 до 15,36 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи — до 7000 и 6800 Мбайт/с соответственно. Значение IOPS достигает 190 тыс., а показатель DWPD > 1.

Источник изображения: Apacer

Накопители серии PV16E-M280 в формате М.2 2280 оснащены интерфейсом PCIe 4.0 x4. Ёмкость варьируется от 480 Гбайт до 1,92 Тбайт. Скорость чтения составляет до 5500 Мбайт/с, скорость записи — до 2000 Мбайт/с. Значение IOPS при записи — до 58 тыс., показатель DWPD > 1.

Компания Solidigm анонсировала SSD семейства D5-P5336, предназначенные для построения СХД высокой плотности. Решения подходят для решения ресурсоёмких задач, связанных с генеративным ИИ, обработкой больших данных и пр. Изделия выполнены в форм-факторе E1.L.

В основу новинок положены 192-слойные микрочипы флеш-памяти QLC 3D NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Заявленная производительность достигает 7000 Мбайт/с в режиме последовательного чтения и 3100–3300 Мбайт/с в режиме последовательной записи (в зависимости от модификации).

В серию вошли четыре модели — вместимостью 7,68; 15,36; 30,72 и 61,44 Тбайт (поставки последней будут организованы позднее). На протяжении срока службы они выдерживают соответственно 0,42; 0,51; 0,56 и 0,58 перезаписи в сутки (DWPD) или до 5,9; 14,1; 31,5 и 65,2 Пбайт суммарно (PBW).

Источник изображения: Solidigm

Максимальное энергопотребление заявлено на уровне 25 Вт, энергопотребление в режиме простоя — менее 5 Вт. Значение MTBF достигает 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Отмечается, что величина IOPS составляет до 1 005 000 при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт. Говорится также о совместмости OCP 2.0.

Компания Cervoz анонсировала SSD семейства T421, предназначенные для применения во встраиваемых системах, промышленном оборудовании, автомобильных компьютерах, медицинских устройствах и пр. Изделия выполнены в формате M.2 2242 с габаритами 22 × 42 мм.

В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND. Для обмена данными задействован интерфейс PCIe 3.0 x2 (спецификация NVMe 1.3). Применена технология SLC-кеширования, что позволяет поднять производительность.

В серию вошли модификации вместимостью 120, 240, 480 и 960 Гбайт, а также 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации, по заявлениям разработчика, достигает 1780 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1640 Мбайт/с.

Источник изображения: Cervoz

Для накопителей опционально предлагается специальное покрытие для защиты от внешних воздействий. Инструмент Thermal Throttling отвечает за увеличение срока службы. Энергопотребление в активном режиме не превышает 3 Вт, в режиме простоя — менее 1 Вт. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Показатель MTBF превышает 3 млн часов.

Компания Team Group анонсировала индустриальные модули оперативной памяти DDR5 WT U-DIMM и DDR5 WT SO-DIMM, а также SSD серии N745-M80. Продукты предназначены для эксплуатации в экстремальных условиях: это могут быть автомобильные компьютеры, встраиваемые безвентиляторные системы, промышленное оборудование и пр.

Модули DDR5 WT U-DIMM и DDR5 WT SO-DIMM доступны в вариантах с частотой 4800 и 5600 МГц. Ёмкость может составлять 8, 16 и 32 Гбайт. Диапазон рабочих температур — от -40 до +85 °C. Напряжение питания равно 1,1 В.

Накопители N745-M80 выполнены в формате М.2 2280. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC, а для обмена данными служит интерфейс PCIe 3.0 x4. Доступны три варианта — вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1700 Мбайт/с. Величина MTBF превышает 3 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

Источник изображения: Team Group

Team Group подчёркивает, что все представленные продукты способны переживать повышение температуры до +105 °C. Они соответствуют стандартам MIL-STD-202G, MIL-STD-883K и MIL-STD810G, что означает устойчивость к ударам и другим физическим воздействиям. На память DDR5 предоставляется пожизненная гарантия, на SSD — трёхлетняя.

Компания ATP Electronics анонсировала SSD серии N601 в форматах M.2 2280 и U.2 с интерфейсом PCIe 4.0 x4 NVMe. Новинки, обладающие повышенной надёжностью, рассчитаны на применение в таких сферах, как сетевое оборудование, серверы, системы видеонаблюдения и пр.

Устройства выполнены на основе 176-слойных чипов флеш-памяти 3D TLC NAND. Реализовано шифрование по алгоритму AES с 256-битным ключом; говорится о поддержке TCG Opal 2.0. У всех новинок показатель MTBF превышает 2 млн часов. Производитель предоставляет двухлетнюю гарантию.

В новое семейство вошли модели N651Si и N601Sc формата M.2 2280: в первом случае диапазон рабочих температур простирается от -40 до +85 °C, во втором — от 0 до +70 °C. Вместимость варьируется от 240 Гбайт до 3,84 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 6450 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 6050 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении составляет до 1 094 000, при записи — до 1 191 000. Устройства могут комплектоваться радиатором охлаждения.

Источник изображений: ATP Electronics

Кроме того, представлены изделия N651Si и N601Sc стандарта U.2. У них ёмкость варьируется от 960 Гбайт до 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения — до 6000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 5500 Мбайт/с. Значение IOPS при чтении достигает 819 000, при записи — 1 177 000. Устройства заключены в корпус с габаритами 100 × 69,85 × 15 мм.

Компания Pure Storage, специализирующаяся в области создания All-Flash СХД, анонсировала на мероприятии Accelerate 2023 обновление массивов FlashArray//E, //X и //C, а также представила фирменные флеш-модули объёмом 75 Тбайт (QLC + NVRAM) и 36 Тбайт (TLC + NVRAM).

Решения Pure Storage состоят из трёх ключевых компонентов — контроллеров, шасси и модулей DirectFlash (DFM). Последние являются специализированными SSD, совместимыми только с системами Pure Storage. Столь глубокая интеграция способствует снижению числа проблем, связанных с независимыми поставщиками SSD, а также способствует повышению энергоэффективности.

Компания приводит любопытные сравнительные данные: так, 1 Пбайт требует для около 500 Вт при использовании HDD ёмкостью 20 Тбайт, а для обычных TLC SSD эта цифра стартует с отметки 726 Вт. Однако технологии, используемые в модулях DFM, позволяют существенно понизить этот показатель — до 300-400 Вт в предыдущих моделях и до 210 Вт в новых, ёмкостью 75 Тбайт.

Узлы FlashArray//E, //X и //C (слева направо). Здесь и далее источник: Pure Storage

Компания не собирается останавливаться на достигнутом и уже располагает тестовой версией модуля ёмкостью 150 Тбайт, которая должна увидеть свет уже в следующем году, а в 2026 году компания намеревается достигнуть отметки 300 Тбайт. Новые модули имеют интерфейс PCIe 4.0, однако поддержка этого стандарта есть не во всех шасси компании. Похоже, Pure Storage хочет в следующем большом обновлении платформ перейти уже на использование PCIe 5.0.

Pure Storage всерьёз атакует рынок систем хранения данных на базе HDD или HDD-SSD. Новым оружием стали массивы FlashArray//E, которые производитель описывает как компактные и сравнительно небольшие решения ёмкостью от 1 до 4 Пбайт. Стоимость хранения при условии трехгодичного контракта составляет всего $0,20/Гбайт. Также Pure Storage упирает на более высокую надёжность DFM — как в сравнении с HDD, так и с обычными SSD. Правда, поддержки S3-доступа нет.

Обновления получили контроллеры FlashArray//X и FlashArray//C R4. Четвёртая версия подразумевает использование новейших процессоров Intel Xeon Sapphire Rapids. По сравнению с предыдущим вариантом R3 контроллеры серии R4 обеспечивают на 40–48 % более высокую производительность на Вт, и к тому же, в пересчёте на занимаемое в стойке пространство на 1 Тбайт ёмкости новинки стали компактнее на 51 % и 36 % соответственно.

Новинки поддерживаютускорители DirectCompress Accelerator для сжатия данных на лету. Теперь они будут устанавливаться не только в FlashArray//XL, но и в достаточно крупные модели FlashArray//X и //C (//X90, //X70, //C90, //C70). Благодаря поддержке PCIe 4.0 на полной скорости заработали интерфейсы FC64 и 100GbE, естественно, с поддержкой NVMe-over-TCP/FC и RoCE. Таже появилась защита Auto-on SafeMode и новый вариант SLA.

Компания DataDirect Networks (DDN), специализирующаяся на платформах хранения данных для высокопроизводительных вычислений (НРС), анонсировала массив AI400X2 QLC, подходящий для ЦОД любого масштаба. Новинка спроектирована с прицелом на нагрузки, связанные с ИИ.

Представленная платформа совмещает параллельную файловую систему DDN с новым алгоритмом сжатием данных на стороне клиента. Утверждается, что по сравнению с альтернативными решениями достигается увеличение производительности до 10 раз, а эффективной ёмкости — до 15 раз. При этом площадь залов для размещения оборудования в ЦОД может быть уменьшена вдвое.

Источник изображений: DDN

Система A1400X2 QLC использует стандартный контроллер A1400X2 в шасси 2RU. Предоставляется 732 Тбайт пространства на накопителях TLC SSD. Могут быть добавлены два, четыре или пять модулей расширения SP2420 QLC SSD. Максимальная эффективная вместимость QLC-платформы в полностью сконфигурированном виде составляет 11,7 Пбайт. В случае гибридной архитектуры могут также применяться традиционные HDD.

Платформа обеспечивает показатель IOPS до 3 500 000. Заявленная скорость передачи информации в режиме последовательно чтения достигает 90 Гбайт/с, в режиме последовательной записи — 65 Гбайт/с. DDN намерена начать поставки решений на базе накопителей QLC NAND в третьем квартале 2023 года.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Компания Kingston Digital, подразделение Kingston Technology, анонсировала SSD корпоративного класса DC600M. Устройства спроектированы специально для дата-центров и рассчитаны на смешанные нагрузки. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND.

Накопители выполнены в SFF-формате, а для подключения служит интерфейс SATA-3. Габариты составляют 69,9 × 100 × 7 мм, вес — 92,34 г. Диапазон рабочих температур — от 0 до +70 °C. Поддерживается шифрование по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит. Заявленный показатель MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. UBER: ≤10^-17.

Источник изображения: Kingston Digital

В семейство DC600M вошли модели вместимостью 480 и 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84 и 7,68 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации, согласно техническим характеристикам, у всех версий составляет до 560 Мбайт/с. Скорость последовательной записи — до 470 Мбайт/с у младшей модификации и до 530 Мбайт/с у всех других. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт у всех решений достигает 94 000. При произвольной записи значение IOPS варьируется от 34 000 до 78 000.

Накопители способны выдерживать до 1 полной перезаписи в сутки (1 DWPD) на протяжении пяти лет или до 1,66 перезаписи на протяжении трёх лет. Среднее энергопотребление составляет 1,45 Вт, максимальное — 3,6 Вт. Диапазон рабочих температур: от 0 до +70 °C. Гарантия производителя — пять лет.

Несмотря на тотальное торжество 3D-подхода в сфере NAND, классическая DRAM продолжает использовать лишь планарные структуры, что мешает и росту объёмов, и снижению удельной стоимости хранения оперативной памяти. Однако NEO Semiconductor обещает положить конец «плоскостной эпохе» с помощью анонсированной на днях технологии 3D X-DRAM.

Источник изображений здесь и далее: NEO Semiconductor

Компания известна своими наработками в области энергонезависимой памяти: разработанная ей технология X-NAND позволяет обойти недостатки, свойственные TLC и QLC — относительно невысокий ресурс и низкую скорость записи. Правда, массового продукта на базе данного решения до сих пор нет. А вот при создании 3D X-DRAM главное внимание было уделено повышению объёмов. Разработчики обещают, что данная технология позволит создать 230-слойные микросхемы объёмом 128 Гбит, что в 8 раз больше, чем у традиционных DRAM-чипов.

Структурно 3D X-DRAM напоминает 3D NAND и базируется на технологии беcконденсаторных ячеек памяти FBC (floating body cell), при которой для хранения заряда достаточно одного транзистора. Она достаточно проста с точки зрения технологического процесса и требует лишь одной маски для формирования вертикальной структуры. Сходство с 3D NAND, позволяющее задействовать уже освоенные технологические процессы, обеспечивает сниженную стоимость и высокую скорость внедрения 3D X-DRAM в сравнении с вариантами 3D DRAM, предлагаемыми другими разработчиками.

Первое поколение чипов DRAM нового типа может увидеть свет уже в районе 2025 года, причём компания-разработчик обещает и быстрые темпы масштабирования: стартовав с отметки 128 Гбит, к 2035 году ёмкость чипа 3D X-DRAM может достигнуть 1 Тбит. В настоящее время технология уже запатентована, а сама NEO Semiconductor планирует начать поиски лицензионных производителей, в числе которых ожидаются крупные поставщики DRAM- и NAND-решений, включая Micron, Samsung, SK Hynix, а также Kioxia с Western Digital.