Компания Micron Technology анонсировала модули оперативной памяти DDR5-8000 RDIMM ёмкостью 128 Гбайт для дата-центров и облачных платформ. Изделия рассчитаны на использование в системах с высокими вычислительными нагрузками: это могут быть ресурсоёмкие приложения ИИ, резидентные базы данных и пр.

Модули выполнены на основе монолитных чипов на 32 Гбит по технологии 1β (1-бета) — самому передовому технологическому процессу производителя. Применяется инновационная архитектура кристалла, обеспечивающая максимальную эффективность массива, а также самую высокую плотность DRAM.

Источник изображения: Micron

Задействованная технология, как утверждается, обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей 3DS TSV (through-silicon via). Заявлено повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности обучения ИИ до 28 %.

Реализована функция управления напряжением питания, которая помогает оптимизировать энергопотребление. Номинальное напряжение VDD, VDDQ и VPP равно соответственно 1,1 В, 1,1 В и 1,8 В. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +95 °C.

В 2024 году компания Micron намерена организовать поставки модулей DDR5 RDIMM на 128 Гбайт с частотой 4800, 5600 и 6400 МГц, а позднее появятся изделия с частотой до 8000 МГц.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 7500, предназначенные для использования в ЦОД. Изделия ориентированы на приложения с высокой интенсивностью обработки данных, такие как задачи ИИ, сервисы доставки контента, аналитика в реальном времени, платформы социальных сетей, облачные вычисления и виртуализация.

Устройства выполнены в SFF-формате U.3 (обратно совместим с U.2). Это, как утверждается, первые в мире SSD для дата-центров, в составе которых применены 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 (спецификация NVMe 2.0b).

Источник изображений: Micron

В семейство вошли накопители 7500 Pro и 7500 Max. В первом случае вместимость составляет 960 Гбайт, а также 1,92, 3,84, 7,68 и 15,36 Тбайт. Во втором случае доступны версии на 800 Гбайт, а также 1,6, 3,2, 6,4 и 12,8 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации в зависимости от модификации варьируется от 6800 до 7000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — от 1400 до 5900 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт достигает 1 100 000, при произвольной записи — 410 000. Полностью показатели производительности для различных моделей выглядят следующим образом:

Габариты SSD составляют 100,45 × 70,10 × 15,00 мм. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Говорится о соответствии стандарту Open Compute Project (OCP) 2.0 и о поддержке шифрования AES-256 (опционально). Показатель MTTF достигает 2,5 млн часов. Энергопотребление в активном режиме не превышает 18,3 Вт, в режиме простоя — 5 Вт.

Компания Micron Technology анонсировала доступность первых партий CXL-модулей расширения памяти CZ120 для своих партнёров. Новые модули соответствуют стандарту CXL 2.0 Type 3 и имеют двухканальную архитектуру. Они выполнены в форм-факторе E3.S 2T (PCI Express 5.0 x8) и представлены в вариантах ёмкостью 128 и 256 Гбайт.

Заявленная пропускная способность новых модулей благодаря фирменной двухканальной архитектуре составляет 36 Гбайт/с (впрочем, это может быть опечатка). В качестве сценариев применения своих новинок Micron называет ситуации, где из-за возросших нагрузок требуется всё больший объём памяти, например, для работы с ИИ или in-memory задачами — с восемью модулями CZ120 можно дополнительно получить до 2 Тбайт RAM. Также новинки должны заинтересовать гиперскейлеров.

Источник изображений здеь и далее: Micron Technology

Но дело не только в объёмах — CZ120 выручит и там, где требуется дополнительная пропускная способность. В варианте с восемью модулями это означает дополнительные 256 Гбайт/с. CXL-модули несколько проигрывают в латентности традиционным DIMM, но «штраф» в этом случае не больше, нежели один переход в NUMA-системе.

В настоящее время компания тесно сотрудничает с Intel в деле валидации модулей CZ120 на платформе Xeon Sapphire Rapids, которая в полном объёме поддерживает лишь CXL 1.1, но не 2.0. Также новинки показали отличный результат на платформе AMD EPYC 9754 (Bergamo) в тестах TPC-H, сообщил представитель AMD.

Стоит отметить, что Micron не первой освоила DRAM-модули CXL 2.0 — ещё в мае Samsung представила свои модули объёмом 128 Гбайт в форм-факторе E3.S, всего год спустя после анонса первых в мире CXL-модулей DDR5. Свои E3.S-решения также представили SK hynix и ADATA, а Astera Labs и Montage Technology предложили экспандеры в форм-факторе плат расширения.

Компания Micron Technology объявила о начале массовых поставок модулей оперативной памяти DDR5-4800 RDIMM объёмом 96 Гбайт. Изделия ориентированы на ИИ-серверы, платформы НРС, системы глубокого обучения и высоконагруженные аппаратные комплексы. По заявлениям разработчика, новые модули обеспечивают вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с DDR4-3200 — 378 Гбайт/с против 189 Гбайт/с.

Память Micron DDR5-4800 RDIMM полностью совместима с процессорами AMD EPYC Genoa. Новые модули уже применяются в сервере Supermicro 8125GS. В дальнейшем изделия возьмут на вооружение и другие поставщики серверных систем. Ранее отмечалось, что «небинарные» чипы и модули DDR5 позволят сократить расходы на память, давая возможность подобрать оптимальные количество и ёмкость DIMM и не переплачивать за избыточный объём RAM.

Источник изображения: Micron Technology

«Модуль Micron DDR5 DRAM ёмкостью 96 Гбайт представляет собой новое решение, разработанное с прицелом на оптимизацию совокупной стоимости владения для наших клиентов», — заявил Правин Вайдьянатан (Praveen Vaidyanathan), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Compute Products Group компании Micron.

Компания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью.

Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости.

Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм.

Источник изображений: Micron

Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.

Компания Micron Technology анонсировала SSD серии 9400 NVMe для дата-центров, на базе которых решаются задачи, связанные с ИИ, машинным обучением и высокопроизводительными вычислениями. Дебютировали изделия семейств 9400 PRO и 9400 MAX. Все новинки выполнены в SFF-формате U.3 толщиной 15 мм. Применены 176-слойные микрочипы флеш-памяти Micron 3D TLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4).

Семейство 9400 PRO включает модели вместимостью 7,68; 15,36 и 30,72 Тбайт. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении — до 1 600 000, при записи — до 300 000 (значения для конкретных моделей приведены в таблице ниже). Накопители рассчитаны на одну полную перезапись в сутки (DWPD).

Источник изображений: Micron Technology

Изделия 9400 MAX, в свою очередь, представлены в вариантах ёмкостью 6,4; 12,8 и 25,6 Тбайт. У них скорость последовательного чтения и записи также составляет до 7000 Мбайт/с. Показатель IOPS при чтении достигает 1 600 000, при записи — 600 000. Значение DWPD равно трём. У всех новинок средняя наработка на отказ (MTTF) заявлена на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Среднее энергопотребление варьируется от 14 до 25 Вт.

Нажмите для увеличения

Гарантия производителя составляет пять лет. Более подробно с характеристиками накопителей можно ознакомиться здесь.

Компания Micron Technology объявила о доступности серверной памяти DDR5 для платформ серверов и рабочих станций на чипах Intel и AMD следующего поколения. Серверы с поддержкой DDR5 сейчас тестируются в ЦОД, и ожидается, что их внедрение будет расширяться в течение 2022 года. Новые модули Micron ёмкостью до 64 Гбайт уже доступны для приобретения через глобальных торговых и промышленных партнёров компании.

Изображения: Micron

Согласно данным Micron, переход на память DDR5 позволит повысить производительность систем на 85 % по сравнению с использованием DDR4. Новая оперативная память для серверов обеспечивает максимальную производительность для ИИ, высокопроизводительных вычислений и приложений с интенсивным использованием данных, которым требуется большая вычислительная мощность и более высокая пропускная способность памяти, чем может обеспечить DDR4.

Согласно спецификации JEDEC, память DDR5 поддерживает скорость передачи данных 4800 МТ/с, что в 1,5 раза выше, чем у DDR4-3200. Благодаря улучшениям архитектуры DDR5 и встроенным возможностям управления питанием достигается оптимизация работы системы в целом. В дальнейшем ожидается появления модулей DDR5-5600 и DDR5-6400 для соответствия растущим требованиям будущих рабочих нагрузок.

Micron с самого начала сотрудничала с JEDEC при разработке спецификаций DDR5 и содействовала ранней сертификации нового типа памяти в рамках программы Micron DDR5 Technology Enablement Program (TEP), единственной, по словам компании, в отрасли программы поддержки экосистемы для DDR5. Программа насчитывает более 400 участников из более чем 160 глобальных компаний.

Компания Micron Technology объявила о начале поставок устройств серии Micron 5400 — первых в мире твердотельных накопителей для центров обработки данных (ЦОД), выполненных с применением 176-слойных чипов памяти 3D TLC NAND и оснащённых интерфейсом SATA-3.

Новинки доступны в двух вариантах исполнения — SFF и М.2 2280. Величина MTTF достигает 3 млн часов. Есть поддержка шифрования SED (AES-256), совместимость с TCG Enterprise и Opal 2.0. Энергопотребление не превышает 3,9 Вт, а диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C.

SFF-накопители представлены в вариантах 5400 Pro и 5400 Max, которые оптимизированы для интенсивного чтения и смешанного использования соответственно. В первом случае вместимостью варьируется от 240 Гбайт до 7,68 Тбайт, во втором — от 480 Гбайт до 3,84 Тбайт.

Источник изображений: Micron Technology

Скорость чтения у всех устройств достигает 540 Мбайт/с, скорость записи — 350 Мбайт/с у младшей модели и 520 Мбайт/с у всех остальных. Значение IOPS на операциях чтения варьируется от 75 тыс. до 95 тыс., на операциях записи — от 10,5 тыс. до 65 тыс. Показатель DWPD (полных перезаписей в сутки) — от 0,6 до 5,0.

Накопители М.2 2280, в свою очередь, предлагаются в модификациях Boot (загрузочный диск) и Pro (интенсивное чтение). Ёмкость составляет 240 Гбайт в первом случае и от 240 до 960 Гбайт во втором. У этих решений скорость чтения достигает 540 Мбайт/с, скорость записи — от 290 до 520 Мбайт/с. Значение IOPS на операциях чтения и записи — от 62 тыс. до 95 тыс. и от 12 тыс. до 37 тыс. Величина DWPD — не более 1,5.

Производитель полупроводниковой продукции Micron Technology, некогда плотно сотрудничавший с Intel на поприще производства памяти, будет использовать новейшие серверные процессоры AMD Epyc Milan-X. Системы на их основе послужат для решения наиболее ресурсоёмких задач при разработке чипов памяти различного назначения.

Micron ещё в прошлом году подтвердила факт перехода на серверные процессоры AMD Epyc третьего поколения при автоматизации «самых-самых требовательных» задач. Сообщается, что производительность в процессах автоматизации проектирования электроники (EDA) выросла на 30 %, параллельно снизилась и стоимость обслуживания дата-центров.

Источник изображения: AMD

Сейчас Micron уже тестирует процессоры EPYC Milan-X, представленные в понедельник. Они получили не только ёмкую кэш-память L3 на 768 Мбайт, но и применяют технологию, позволяющую «утроить» L3 для каждой группы ядер процессора — это особенно важно для сфер применения, требовательных к качеству кэша, в частности — в тех же процессах автоматизации проектирования электроники.

Утверждается, что новые процессоры обеспечивают производительность на 40 % выше в сравнении с моделями чипов Epyc предыдущего поколения при выполнении ряда определённых задач в рамках программы автоматизации. Примечательно, что поставщик модулей памяти не воспользовался новейшими процессорами Intel Xeon, а в Micron заявили, что переход на новые CPU осуществляется в рамках долговременного плана сотрудничества двух Micron и AMD.

Всего через несколько месяцев после выпуска твердотельных накопителей Micron 7400 (PCIe 4.0) корпоративного класса компания Micron представила их наследников в серии 7450, которые отличаются меньшей задержкой, большей скоростью и большей же ёмкостью, хотя выпускаются они в тех же форм-факторах: M.2, U.3 и E1.S. В новую серию также входят версии 7450 Max и 7450 Pro.

Источник изображения: Micron

В новых накопителях, тоже с интерфейсом PCIe 4.0 х4 (NVMe 1.4), используется 176-слойная память 3D TLC NAND. Модели 7450 Pro U.3 и 7450 Max M.2 получили вдвое большую ёмкость по сравнению с аналогами 7400 Pro U.3 и 7400 Max M.2 — 15,36 Тбайт и 6,4 Тбайт соответственно. Ёмкость 7,68 Тбайт у накопителя 7450 Pro E1.S объявлена наибольшей в отрасли.

Показатели производительности последовательного чтения и записи у всех моделей серии 7450 выше по сравнению с серией 7400, впрочем, как и IOPS (операций ввода/вывода в секунду), за исключением вариантов 7450 Max и Pro U.3. Средняя наработка на отказ (величина MTTF), согласно техническим характеристикам, составляет 2,0 млн часов. Производитель предоставляет пятилетнюю гарантию на устройства.