Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компании Micron и Astera Labs в ходе мероприятия DesignCon 2025 продемонстрировали самый быстрый в мире SSD — устройство формата E3.S, оснащённое интерфейсом PCIe 6.0. В тестовой системе новинка показала скорость передачи данных свыше 27 Гбайт/с.

Работа накопителей продемонстрирована в составе платформы, оборудованной коммутационным чипом Astera Scorpio Smart Fabric Switch P-Series, который поддерживает до 64 линий PCIe 6.0. Это изделие предназначено для обеспечения высокоскоростной передачи данных между CPU, GPU и узлами хранения в кластерах HPC и ИИ.

В тестовой системе были задействованы два накопителя Micron SSD PCIe 6.0 неназванной вместимости, а также ускоритель NVIDIA H100. При этом технология NVIDIA Magnum IO GPUDirect (GDS) отвечала за прямой обмен данными между SSD и GPU, минуя остальные компоненты системы. В результате, на каждом из SSD показана скорость чтения информации в 27,14 Гбайт/с.

Источник изображения: Astera Labs

Как отмечает ресурс Tom's Hardware, достигнутый результат практически вдвое превышает показатели одного из самых быстрых на сегодняшний день накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 — устройства Crucial T705, у которого скорость чтения достигает 14,5 Гбайт/с.

В августе прошлого года компания Micron заявляла, что новые SSD с интерфейсом PCIe 6.0 смогут обеспечить пропускную способность при последовательном чтении более 26 Гбайт/с. Но демонстрация в рамках DesignCon 2025 говорит о том, что фактические значения могут оказаться даже выше при использовании определённых аппаратных компонентов. Информации о сроках начала массовых поставок накопителей пока нет.

Несмотря на рекордный рост выручки в I квартале 2025 финансового года, увеличившейся год к году на 84 %, акции Micron упали после публикации квартального отчёта на 16 % в четверг, ставший худшим днём для компании на бирже с марта 2020 года и начала пандемии COVID-19. Виной тому был слабый прогноз на II финансовый квартал, разочаровавший инвесторов.

«Негативная реакция рынка отражает обоснованные опасения по поводу невыполнения прогнозов выручки на $1 млрд и краткосрочной слабости спроса на традиционных рынках, таких как ПК, автомобили и промышленные рынки», — сказал Майкл Эшли Шульман (Michael Ashley Schulman), партнёр и главный инвестиционный директор Running Point Capital Advisors.

Генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил в ходе отчёта за I квартал 2025 финансового года, завершившийся 28 ноября, что сейчас наблюдается более медленный рост в части потребительских устройств и «корректировка запасов» у компаний-партнёров. Он также отметил, что выручка от продуктов для ЦОД впервые превысила 50 % всей выручки компании.

Источник изображений: Microsoft

Выручка Micron составила $8,71 млрд, превысив показатель аналогичного квартала в 2024 финансовом году в размере $4,73 млрд и предыдущего квартала в размере $7,75 млрд, что в целом соответствует оценкам аналитиков, согласно данным, собранным LSEG. Рост был обусловлен 400-процентным ростом выручки продуктов для ЦОД, в основном из-за спроса на ИИ, сообщила Micron. Это была самая высокая выручка Micron в I квартале за последние 10 лет. Скорректированная прибыль (non-GAAP) на акцию равняется $1,79, что выше средней оценки аналитиков, опрошенных LSEG, в размере $1,75.

Выручка от DRAM составила $6,4 млрд, увеличившись на 86,8 % в годовом исчислении. Продажи памяти NAND составили $22 млрд, что представляет собой рост на 78,9 % в годовом исчислении, но последовательное падение на 5 %, поскольку общее количество отгруженных битов сократилось вместе со средними продажными ценами. Драйвером выручки были продажи решений для ЦОД, выросшие более чем на 400 % в годовом исчислении и на 40 % последовательно, достигнув рекордного уровня.

Выручка от продаж крупнейшему клиенту-провайдеру ЦОД составила примерно 13 % от общего дохода — $1,13 млрд. Был также получен рекордный доход от поставок SSD для ЦОД и установлены новые рекорды по доле рынка SSD для ЦОД и общего объёма SSD. Поставки памяти HBM превысили план, и более чем вдвое — показатель предыдущего квартала.

Подразделение Compute and Networking (CNBU) получило выручку в размере $4,4 млрд (рост год к году на 153,3 %), мобильное подразделение (Mobile, MBU) — $1,5 млрд (рост на 16 %). У подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) выручка составила $1,1 млрд (рост — 6,1 %), у подразделения решений для СХД (SBU) — $1,7 млрд (рост — 160,3 %).

«Хотя часть бизнеса Micron, связанная с ЦОД ИИ, остается устойчивой, очевидно, что более медленные, чем ожидалось, продажи потребительских ПК, смартфонов и автомобилей влияют на перспективы компании и застали рынок врасплох», — сообщил агентству Reuters Боб О'Доннелл (Bob O'Donnell), президент и главный аналитик TECHnalysis Research.

Компания, один из трёх поставщиков чипов HBM наряду с южнокорейскими SK Hynix и Samsung, теперь сосредоточена на увеличении производства чипов HBM — к марту текущего года компания продала всю HBM3E-память, которую собиралась выпустить в 2024 году и начале 2025 года. «Наш ассортимент продукции смещается в сторону большего количества продуктов, которые необходимы на рынке», — заявил Мехротра в ходе телефонной конференции с аналитиками.

Micron сообщила, что во II финансовом квартале ожидает выручку в размере $7,90 млрд ± $200 млн, и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,43 ± $0,10. В свою очередь, аналитики, опрошенные LSEG, ожидают выручку в размере $8,98 млрд и скорректированную прибыль (non-GAAP) на акцию в размере $1,91.

«Micron занимает самую сильную конкурентную позицию за всю свою историю, и мы продолжаем наращивать долю во всех высокорентабельных, стратегически важных категориях продуктов в нашей отрасли, сохраняя при этом общую стабильную долю рынка как DRAM, так и NAND», — подчеркнул Мехротра. «Хотя потребительские рынки в краткосрочной перспективе слабее, мы ожидаем возвращения к росту во II половине нашего финансового года», — добавил он.

Micron представила SSD 6550 ION, который позиционируется как самый быстрый в мире 61,44-Тбайт накопитель для ЦОД и первый в мире накопитель стандарта PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0b) в форм-факторе E3.S с такой ёмкостью. Новинка подходит для растущих рабочих нагрузок ИИ, обеспечивая при этом лучшую в своем классе производительность и до 20 % более низкое энергопотребление по сравнению с накопителями конкурирующих брендов.

Нюанс в том, что самым быстрым Micron 6550 ION является именно при таком сочетании ёмкости, форм-фактора и интерфейса, а сравнение делается с решениями Samsung, Solidigm и Western Digital, но не Kioxia. Типовое энергопотребление у новинок не превышает 20 Вт. Точно такой же показатель есть у одной из моделей Western Digital, но решение Micron быстрее. 6550 ION соответствует стандарту OCP 2.5 и имеет активное управление питание (ASPM). Это позволяет накопителю потреблять в режиме ожидания 4 Вт в состоянии L1 против 5 Вт в состоянии L0, что до 20 % повышает энергоэффективность в простое.

Источник изображений: Micron

6550 ION подходят для создания озёр данных для ИИ, для приёма, подготовки данных и создания контрольных точек во время обучения, для хранения файлов и объектов, создания публичных облачных хранилищ, обслуживания аналитических баз данных, а также для систем доставки контента. Также сообщается, что 6550 ION обеспечивает ведущую в отрасли плотность хранения, позволяя клиентам сократить площадь ЦОД до 67 %, обеспечивая плотность на уровне 1,2 Пбайт/1U.

Скорость последовательного чтения/записи 6550 ION достигает 12,5/5,0 Гбайт/с. Значение IOPS при работе с блоками данных по 4 Кбайт — до 1,6 млн при произвольном чтении и до 70 тыс. при произвольной записи. 6550 ION может быть полностью записан за 3,4 часа, в то время как конкурирующие диски заполняются на 150 % дольше, отмечает компания.

Источник: ServeTheHome

Кроме того, 6550 ION также превосходит SSD аналогичной ёмкости в критических ИИ-нагрузках, включая работу с NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage (GDS), работу с блоками данных 4 Кбайт при обучении некоторых сетей и создание контрольных точек во время обучения ИИ. При тренировке LLM с с миллиардами параметров контрольные точки создаются довольно часто, а ускорители могут простаивать десятки минут, пока данные сбрасываются на SSD.

Источник: ServeTheHome

Micron 6550 ION доступен в форм-факторах E3.S (1T), U.2 и E1.L и имеет ёмкость 30,72 или 61,44 Тбайт. Кроме того, сообщается, что 6550 ION предлагает ведущий в отрасли набор функций безопасности, включая SPDM 1.2 для аттестации и SHA-512 для безопасной генерации подписей. Он соответствует требованиям TAA и сертифицирован по стандарту FIPS 140-3 L2.

Накопитель имеет надёжность на уровне 1,0 RDWPD при записи случайных блоков на 16 Кбайт, а для 4-Кбайт блоков — 0,25 RDWPD. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 °C. Показатель MTTF составляет 2,5 млн часов. Гарантия производителя — 5 лет. Также отмечается, что 6550 ION полностью состоит из компонентов, изготовленных самой Micron.

Компания Micron Technology сообщила о начале пробных поставок 12-ярусных (12-Hi) чипов памяти HBM3E, предназначенных для высокопроизводительных ИИ-ускорителей. Изделия проходят квалификацию в экосистеме отраслевых партнёров, после чего начнутся их массовые отгрузки.

Новые чипы имеют ёмкость 36 Гбайт, что на 50 % больше по сравнению с существующими 8-слойными вариантами HBM3E (24 Гбайт). При этом, как утверждает Micron, достигается значительно более низкое энергопотребление. Благодаря применению 12-ярусных чипов HBM3E крупные модели ИИ, такие как Llama 2 с 70 млрд параметров, могут запускаться на одном ускорителе.

Источник изображений: Micron

Заявленная пропускная способность превышает 9,2 Гбит/с на контакт, что в сумме обеспечивает свыше 1,2 Тбайт/с. Появление новой памяти поможет гиперскейлерам и крупным операторам дата-центров масштабировать растущие рабочие нагрузки ИИ в соответствии с запросами клиентов.

Реализована полностью программируемая функция MBIST (Memory Built-In Self Test), которая способна работать на скоростях, соответствующих системному трафику. Это повышает эффективность тестирования, что позволяет сократить время вывода продукции на рынок и повысить надёжность оборудования. При изготовлении памяти HBM3E компания Micron применяет современные методики упаковки чипов, включая усовершенствованную технологию сквозных соединений TSV (Through-Silicon Via).

Нужно отметить, что о разработке 12-слойных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт в начале 2024 года объявила компания Samsung. Эти решения обеспечивают пропускную способность до 1,28 Тбайт/с. По данному показателю, как утверждается, чипы более чем на 50 % превосходят доступные на рынке 8-слойные стеки HBM3. Наконец, старт массового производства 12-Hi модулей HBM3E от SK hynix с ПСП 1,15 Тбайт/с намечен на октябрь.

Компания Micron Technology объявила о доступности серии NVMe-накопители Micron 9550, которые позиционируются как самые быстрые в мире PCIe 5.0 SSD для ЦОД с лучшими в отрасли показателями энергоэффективности и производительности для ресурсоёмких рабочих нагрузок, таких как ИИ. Новинки используют 232-слойную флеш-память TLC NAND, предлагаются в форм-факторах U.2 (15 мм), E3.S (1T) и E1.S (15 мм), а их ёмкость составляет от 3,2 до 30,72 Тбайт.

Micron 9550 обеспечивает скорость последовательного чтения до 14,0 Гбайт/с и последовательной записи до 10,0 Гбайт/с, что превышает на 67 % показатели твердотельных накопителей аналогичного класса от конкурентов, говорит компания, подразумевая решения Kioxia и Samsung. Производительность накопителя на операциях случайного чтения и записи составляет 3,3 млн IOPS и 400 тыс. IOPS соответственно, что до 35 % и до 33 % выше, чем у предложений конкурентов.

Источник изображения: Micron

Накопители Micron 9550 поддерживают TCG Opal 2.01, SPDM 1.2, телеметрию по стандарту OCP 2.5, шифрование данных (SED), сквозную поддержку целостности данных, подписанное встроенное ПО, изолированный анклав Micron Secure Execution Environment, защиту от потери питания, а также соответствуют стандартам NVMe v2.0b и OCP 2.0 (r21). Доступны и варианты с сертификацией FIPS 140-3 Level 2 и TAA.

Компания предлагает две версии Micron 9550: 9550 PRO для интенсивного чтения с 1 DWPD (допустимое количество перезаписей всего объёма накопителя в день) в течение пятилетнего гарантийного периода и 9550 MAX для смешанных нагрузок с надёжностью 3 DWPD. E1.S-вариант есть только 9550 PRO. Доступная ёмкость 9550 PRO составляет 3,84/7,68/15,36/30,72 Тбайт. Версия накопителя 9550 MAX предлагает меньшую ёмкость — 3,2/6,4/12,8/25,6 Тбайт.

Как отметила Micron, ИИ-нагрузки требуют высокопроизводительных решений для хранения данных. Показатели последовательного и случайного чтения и записи SSD 9550 позволяет использовать его именно в таких в сценариях. Накопители поддерживают архитектуры Big Accelerator Memory (BaM) и GPU-Initiated Direct Storage (GIDS).

Например, большие языковые модели (LLM) требуют высокой скорости последовательного чтения, а графовые сети (GNN) требуют высокой производительности случайного чтения. Компания заявила, что Micron 9550 превосходит предложения конкурентов в работе с ИИ-нагрузками: время выполнения сокращается до 33 %, агрегация в BaM происходит до 60 % быстрее, обеспечивается до 34 % более высокая пропускная способность при использовании Magnum IO GPUDirect Storage (GDS).

Согласно пресс-релизу, Micron 9550 обеспечивает лучшую в отрасли энергоэффективность для поддержки различных рабочих ИИ-нагрузок, в том числе:

• Обучение графовых сетей с помощью BaM: снижение среднего энергопотребления SSD до 43 % и снижение общего энергопотребления сервера до 29 %.
• NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage: до 81 % меньше потребление энергии на каждый переданный 1 Тбайт.
• MLPerf: до 35 % меньше потребление энергии накопителем и до 13 % меньше использование энергии системой.
• Тюнинг Llama LLM с помощью Microsoft DeepSpeed: энергопотребление SSD до 21 % меньше.

Micron 9550 имеет вертикально интегрированную архитектуру с использованием технологий, разработанных Micron, обеспечивающую гибкий выбор конструкции и расширенные возможности безопасности, говорит компания. Кроме того, Micron сотрудничает с NVIDIA и разработчиками решений с открытым исходным кодом, чтобы гарантировать соответствие решений потребностям самых требовательных ИИ-нагрузок.

Компания Micron Technology объявила о старте рассылки образцов модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), специально разработанной для приложений ИИ и HPC. По сравнению с обычными RDIMM у модулей MRDIMM до 39 % выше пропускная способность памяти, на 15 % выше эффективность работы шины и до 40 % ниже задержка. MRDIMM-модули будут иметь ёмкость 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт.

Модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 8800 МТ/с и выпускаются в двух форматах: стандартной и увеличенной (TFF, Tall Form Factor) высоты, которые подходят для серверов высотой 1U и 2U. Благодаря улучшенной конструкции модулей TFF температура DRAM снижается до 20 °С при той же мощности и потоке воздуха, обеспечивая более эффективное охлаждение в ЦОД и оптимизируя общее энергопотребление системы для рабочих нагрузок с интенсивным использованием памяти.

Источник изображения: Micron Technology

Сообщается, что новое предложение представляет собой первое поколение семейства Micron MRDIMM и будет совместимо только с процессорами Intel Xeon 6, поскольку стандарт JEDEC для памяти MRDIMM официально ещё не выпущен. Массовые поставки Micron MRDIMM начнутся во II половине 2024 года. Компания сообщила, что последующие поколения MRDIMM будут по-прежнему обеспечивать до 45 % лучшую пропускную способность памяти на канал по сравнению с RDIMM аналогичного поколения.

Ранее образцы MRDIMM (или MR-DIMM) показала ADATA. А SK hynix совместно с Intel и Renesas ещё в конце 2022 года объявила о создании похожего типа памяти — DDR5 MCR (Multiplexer Combined Ranks) DIMM. Весной этого года Micron также показала образцы DDR5-8800 MCR DIMM.

Micron Technology сообщила финансовые результаты III квартала 2024 финансового года, завершившегося 30 мая. Несмотря на значительный рост выручки по сравнению с прошлым годом, а также то, что показатели за квартал превысили прогноз аналитиков, акции Micron упали в минувшую среду в цене на 8 %, поскольку прогноз компании на текущий квартал оказался ниже ожиданий инвесторов, отметил ресурс MarketWatch.

Выручка Micron в III финансовом квартале составила $6,81 млрд, что на 17 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 82 % больше показателя аналогичного периода годом ранее. Также был превышен консенсунс-прогноз аналитиков, опрошенных FactSet, в размере $6,67 млрд. При этом продажи DRAM составили $4,7 млрд (69 % общей выручки), NAND — $2,1 млрд (30 %).

Источник изображений: Micron Technology

Подразделение Compute and Networking (CNBU) принесло компании $2,57 млрд (рост год к году на 85 %), мобильное подразделение (Mobile, MBU) увеличило выручку на 94 % до $1,59 млрд, у подразделения встраиваемых решений (Embedded, EBU) выручка составила $1,29 млрд (рост — 42 %), у подразделения решений для СХД (SBU) — $1,35 млрд (рост — 116 %).

Отчётный квартал компания завершила с чистой прибылью (GAAP) в размере $332 млн или $0,30 на акцию, тогда как годом ранее она объявила о чистом убытке в размере $1,9 млрд, или $1,73 на акцию. Вместе с тем консенсунс-прогноз аналитиков по чистой прибыли равнялся $399,39 млн. Скорректированная прибыль (non-GAAP) на акцию составила $0,62, тогда как аналитики, опрошенные FactSet, ожидали $0,48 прибыли на акцию.

Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), президент и гендиректор Micron Technology, отметил устойчивый спрос на ИИ-решения, позволивший увеличить выручку и превысить собственный прогноз на III финансовый квартал. «Мы увеличиваем долю в высокодоходных продуктах, таких как память HBM, а выручка от SSD для ЦОД достигла рекордно высокого уровня, демонстрируя силу нашего портфолио продуктов для ИИ, включая DRAM и NAND», — заявил он. Также Мехротра сообщил, что компания «добилась значительного повышения цен» и что «улучшение цен в сочетании с усилением ассортимента продукции привело к увеличению прибыльности на всех конечных рынках».

В IV финансовом квартале Micron ожидает получить скорректированную прибыль (non-GAAP) в размере $1,08 на акцию при выручке в $7,6 млрд. Прогноз аналитики Уолл-стрит на текущий финансовый квартал по прибыли (non-GAAP) составляет $1,02 на акцию при выручке в $7,59 млрд. В комментариях к финансовому отчёту Мехротра отметил, что благодаря росту использования ИИ-технологий, у компании есть «хорошие возможности для достижения существенного рекордного дохода в 2025 финансовом году».

«Мы находимся в начале многолетней гонки за создание общего ИИ, или AGI, который произведёт революцию во всех аспектах жизни», — сообщил глава Micron. — Запуск AGI потребует обучения моделей с постоянно растущими размерами с триллионами параметров и сложных серверов для инференса. ИИ также распространится на периферию через компьютеры с ИИ и смартфоны с ИИ, а также умные автомобили и интеллектуальные промышленные системы. Эти тенденции будут способствовать значительному росту спроса на DRAM и NAND, и мы считаем, что Micron станет одним из крупнейших бенефициаров в полупроводниковой промышленности благодаря возможностям многолетнего роста, обусловленных ИИ».

Представив чипы памяти типа DDR5 ёмкостью 32 Гбит ещё прошлой осенью, компания Micron Technology только сейчас сертифицировала модули RDIMM объёмом 128 Гбайт на основе этих чипов на совместимость с оборудованием ключевых игроков серверного рынка. Клиенты Micron смогут получить такие модули памяти в июне. Также компания объявила о поставках восьмиярусных стеков памяти HBM3E.

Американский производитель памяти подчёркивает, что и 128-Гбайт модули DDR5-5600 RDIMM, и HBM3E-память Hi-8 наилучшим образом проявят себя в серверной инфраструктуре, ориентированной на обслуживание ИИ-систем. Кого именно из производителей ускорителей вычислений Micron снабжает памятью типа HBM3E, не уточняется, но конкурирующие Samsung и SK hynix уже готовы поставлять клиентам 12-ярусные чипы HBM3E. Впрочем, ещё в феврале Micron сообщил о готовности начать во II квартале поставки чипов HBM3E объёмом 24 Гбайт для ускорителей NVIDIA H200.

Источник изображения: Micron Technology

Серверные модули DDR5 объёмом 128 Гбайт со скоростью 5600 МТ/с на основе монолитных 32-Гбит чипов памяти, по данным Micron, позволяют на 45 % поднять плотность хранения данных в пересчёте на один контакт, на 22 % поднять энергетическую эффективность, и на 16 % снизить задержки при передаче информации по сравнению с немонолитными чипами DDR5.

Micron отметила, что в этом году начнёт поставки модулей со скоростью 4800, 5600 и 6400 MT/с, а в будущем намерена предложить решения со скоростью до 8000 MT/с. AMD и Intel подтвердили совместимость новых модулей Micron со своими современными серверными платформами. Со следующего месяца Micron начнёт продавать новую память через своих торговых партнёров.

Компания Micron Technology анонсировала изделие 4150AT: это, как утверждается, первый в мире 4-портовый SSD. Новинка может напрямую подключаться к четырём SoC одновременно, что позволяет организовать централизованное хранение данных. При этом отпадает необходимость в использовании коммутационных чипов. Новинка ориентирована на сектор интеллектуальных автомобилей, системы которых генерируют большие массивы информации.

Накопитель 4150AT выполнен на основе 176-слойной флеш-памяти TLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 4.0 (NVMe 2.0). Решение поддерживает технологию SR-IOV и позволяет обслуживать до 64 ВМ. Говорится о повышенной надёжности. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +115 °C.

Источник изображения: Micron

В семейство 4150AT вошли модификации вместимостью 220, 440 и 900 Гбайт, а также 1,8 Тбайт. Заявленный показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при работе с блоками данных по 4 Кбайт достигает 600 тыс. при произвольном чтении и 100 тыс. при произвольной записи. Величина MTTF (средняя наработка на отказ) превышает 10 млн часов.

Благодаря возможности подключения четырёх бортовых SoC одновременно новые SSD позволяют оптимизировать процесс хранения и обработки информации. Например, системы оказания помощи водителю при движении (ADAS) и информационно-развлекательный комплекс смогут обращаться к одному и тому же набору картографических данных. Это даст возможность снизить стоимость хранения 1 Гбайт информации и отказаться от применения дополнительных накопителей. Пробные поставки 4150AT уже начались.