Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Memory Tech Day сообщила о начале поставок образцов микросхем памяти HBM3E нового поколения с кодовым названием Shinebolt. Утверждается, что изделия Shinebolt обеспечивают прирост производительности примерно на 50 % по сравнению с чипами HBM3E предыдущего поколения (Icebolt). Пропускная способность в расчёте на контакт достигает 9,8 Гбит/с против 6,4 Гбит/с у Icebolt.

Источник изображения: Samsung

Таким образом, общая пропускная способность микросхем Shinebolt составляет до 1,228 Тбайт/с. Это позволяет использовать память в высоконагруженных системах, обрабатывающих приложения генеративного ИИ и машинного обучения. С целью повышения плотности компоновки и улучшения тепловых характеристик Samsung оптимизировала свою технологию непроводящей пленки (NCF): это позволило минимизировать зазоры между слоями чипа и максимизировать теплопроводность. Samsung планирует производить 12-ярусные чипы Shinebolt с максимальной ёмкостью 36 Гбайт.

Среди других продуктов, представленных компанией Samsung на мероприятии Memory Tech Day, — 32-гигабитные чипы DDR5 DRAM, первая в отрасли память GDDR7 с пропускной способностью 32 Гбит/с и архитектура PBSSD для создания решений «петабайтного класса».

На конференции Flash Memory Summit альянс компаний Samsung, MemVerge, H3 Platform и XConn Technologies продемонстрировал первые плоды своего сотрудничества. Речь идёт о новом CXL-пуле памяти ёмкостью 2 Тбайт, ставшим ответом на ряд проблем, с которым сталкиваются масштабные ИИ-платформы сегодня. Хостам, подключённым к пулу, можно динамически выделять требуемый объём RAM.

Таких проблем, связанных со слишком тесной привязкой DRAM непосредственно к процессорам или ускорителям, можно назвать множество: потеря производительности при вынужденном сбросе данных на медленные накопители, излишнее перемещение данных из памяти и обратно, повышенная нагрузка на подсистему хранения данных, да и нехватка памяти. А памяти современным ИИ-системам требуется всё больше и больше, но наращиванию её ёмкости мешает слишком «процессороцентричная» архитектура.

Источник изображения: MemVerge

Многие видят здесь выход в отказе от традиционной концепции и переходе на композитную инфраструктуру, использующую возможности CXL в области организации вынесенных и легко наращиваемых при необходимости пулах памяти. Является таким пулом и демонстрируемая содружеством вышеназванных компаний система 2TB Pooled CXL Memory System.

Источник изображения: Samsung

Её основой стали CXL-модули Samsung ёмкостью 256 Гбайт с интерфейсом PCIe 5.0, имеющие максимальную пропускную способность до 35 Гбайт/с. В качестве связующего звена применены коммутаторы XConn Technologies XC50256 (Apollo). Эти чипы имеют 256 линий PCIe 5.0/CXL 2.0, которые группируются в 32 порта и могут обеспечить коммутацию на скорости до 2048 Гбайт/с при минимальной латентности. Как отметил представитель XConn, новые ASIC по всем параметрам превосходят аналогичные решения предыдущего поколения на базе FPGA.

Источник изображения: XConn Technologies

Компания H3 Platform разработала компактное высокоплотное 2U-шасси. Также она отвечает за управляющее ПО H3 Fabric Manager, позволяющее удобно распределять CXL-ресурсы. Наконец, MemVerge ответственна за ПО, реализующее функцию «бесконечной памяти» — Memory Machine X. Этот комплекс, отвечающий за виртуализацию массивов памяти, поддерживает гибкое масштабирование, tiering, динамическое выделение памяти приложениям и многое другое, включая службу Memory Viewer, позволяющую наблюдать за топологией и загрузкой системы в реальном времени.

На конференции Flash Memory Summit компания Samsung анонсировала ряд новинок. Среди них новые серверные накопители с интерфейсом PCIe 5.0, SSD ёмкостью 256 Тбайт, а также платформа PBSSD, предназначенная для создания систем хранения данных петабайтного класса.

Так, компания объявила о завершении работ над серией серверных SSD PM9D3a в форм-факторе SSF с интерфейсом PCIe 5.0. Они получили 8-канальный контроллер флеш-памяти. В сравнении с PM9A3 скорость последовательного чтения выросла в 2,3 раза, а случайной записи — более чем вдвое (400 тыс. IOPS). Поначалу максимальная ёмкость новинок будет составлять 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт, но в первой половине 2024 года появятся модели объёмом 3,84 Тбайт и 30,72 Тбайт. Заявленный уровень MTBF составляет 2,5 млн часов. Также говорится о расширенных функциях телеметрии и отладки.

Источник изображений здесь и далее: Samsung

Также Samsung создала SSD ёмкостью 256 Тбайт на базе QLC NAND, которые используют максимальный на сегодня уровень интеграции флеш-памяти. Такие накопители придутся по нраву гиперскейлерам, в том числе потому, что вопросам энергоэффективности компания уделила особое внимание: согласно тестам Samsung, один такой 256-Тбайт диск потребляет в семь раз меньше энергии, нежели массив из восьми 32-Тбайт накопителей.

Наконец, одним из самых интересных и важных стал анонс новой архитектуры PBSSD. Как описывает её сама Samsung, PBSSD представляет собой сверхвысокоплотное решение петабайтного класса с хорошей масштабируемостью. Платформа, в частности, наделена функцией Traffic Isolation, которая изолирует потоки данных при множественном доступе к накопителю, позволяя сохранить для разных нагрузок заданные для них уровни задержки и производительности.

Также будет реализована фирменная технология Flexible Data Placement (FDP), совместно разработанная Samsung и Meta✴ и уже ратифицированная консорциумом NVMe. FDP позволяет хосту определять, какие данные можно сгруппировать и записать вместе, чтобы снизить нагрузку на накопитель, улучшить предсказуемость его поведения, повысить общую производительность и снизить TCO. Первые тесты показали эффективность FDP на реальных нагрузках гиперскейлеров. ПО для работы с FDP будет открытым.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.