На конференции Flash Memory Summit компания Samsung анонсировала ряд новинок. Среди них новые серверные накопители с интерфейсом PCIe 5.0, SSD ёмкостью 256 Тбайт, а также платформа PBSSD, предназначенная для создания систем хранения данных петабайтного класса.

Так, компания объявила о завершении работ над серией серверных SSD PM9D3a в форм-факторе SSF с интерфейсом PCIe 5.0. Они получили 8-канальный контроллер флеш-памяти. В сравнении с PM9A3 скорость последовательного чтения выросла в 2,3 раза, а случайной записи — более чем вдвое (400 тыс. IOPS). Поначалу максимальная ёмкость новинок будет составлять 7,68 Тбайт и 15,36 Тбайт, но в первой половине 2024 года появятся модели объёмом 3,84 Тбайт и 30,72 Тбайт. Заявленный уровень MTBF составляет 2,5 млн часов. Также говорится о расширенных функциях телеметрии и отладки.

Источник изображений здесь и далее: Samsung

Также Samsung создала SSD ёмкостью 256 Тбайт на базе QLC NAND, которые используют максимальный на сегодня уровень интеграции флеш-памяти. Такие накопители придутся по нраву гиперскейлерам, в том числе потому, что вопросам энергоэффективности компания уделила особое внимание: согласно тестам Samsung, один такой 256-Тбайт диск потребляет в семь раз меньше энергии, нежели массив из восьми 32-Тбайт накопителей.

Наконец, одним из самых интересных и важных стал анонс новой архитектуры PBSSD. Как описывает её сама Samsung, PBSSD представляет собой сверхвысокоплотное решение петабайтного класса с хорошей масштабируемостью. Платформа, в частности, наделена функцией Traffic Isolation, которая изолирует потоки данных при множественном доступе к накопителю, позволяя сохранить для разных нагрузок заданные для них уровни задержки и производительности.

Также будет реализована фирменная технология Flexible Data Placement (FDP), совместно разработанная Samsung и Meta✴ и уже ратифицированная консорциумом NVMe. FDP позволяет хосту определять, какие данные можно сгруппировать и записать вместе, чтобы снизить нагрузку на накопитель, улучшить предсказуемость его поведения, повысить общую производительность и снизить TCO. Первые тесты показали эффективность FDP на реальных нагрузках гиперскейлеров. ПО для работы с FDP будет открытым.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.

Компания Samsung Electronics объявила о создании первой в отрасли памяти DRAM ёмкостью 128 Гбайт с поддержкой стандарта Compute Express Link (CXL) 2.0. Массовое производство изделий планируется организовать до конца текущего года. Напомним, CXL — это высокоскоростной интерконнект, обеспечивающий взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода и пр. Финальные спецификации CXL 2.0 были обнародованы в конце 2020 года.

Память Samsung DRAM на базе CXL 2.0 использует PCle 5.0 x8 и обеспечивает пропускную способность до 35 Гбайт/с. В разработке изделия принимали участие специалисты Intel. Отмечается, что с целью создания технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД, а также с производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году.

Источник изображения: Samsung

Одним из партнёров является Montage Technology: эта компания планирует организовать массовое производство контроллеров с поддержкой CXL 2.0. Стандарт CXL 2.0 позволяет формировать пулы памяти и хостам динамически выделять память по мере необходимости. Новая технология позволит клиентам повысить эффективность использования ресурсов при одновременном снижении эксплуатационных расходов.