Компания Samsung Electronics в партнёрстве с Red Hat впервые в отрасли успешно проверила работу памяти Compute Express Link (CXL) в реальной пользовательской среде. Это открывает путь для внедрения CXL в существующих дата-центрах для выполнения ресурсоёмких задач, таких как генеративный ИИ, средства автономного вождения и in-memory базы данных.

Интерконнект CXL, основанный на интерфейсе PCIe, обеспечивает высокоскоростную передачу данных с малой задержкой между хост-процессором и между такими устройствами, как серверные ускорители, буферы памяти и интеллектуальные IO-блоки. Технология позволяет повысить эффективность серверных платформ при одновременном снижении эксплуатационных расходов.

Источник изображения: Samsung

В рамках сотрудничества с Red Hat компания Samsung оптимизировала работу своей памяти CXL на платформе Red Hat Enterprise Linux (RHEL) 9.3. Специалисты проверили распознавание памяти, а также опробовали операции чтения и записи в средах Red Hat KVM и Podman. Полученные результаты говорят о том, что клиенты могут использовать память Samsung CXL в своих ЦОД без необходимости внесения дополнительных изменений в существующее оборудование.

Это, как утверждается, важная веха в интеграции аппаратного и программного обеспечения для создания открытой экосистемы с целью внедрения высокоскоростной памяти следующего поколения. Компании Samsung и Red Hat приступили к разработке руководства RHEL 9.3 CXL Memory Enabling Guide, которое поможет заказчикам в создании вычислительных систем с памятью CXL.

Отмечается, что Samsung сотрудничает с дата-центрами и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в высокоскоростной памяти большой ёмкости. Меморандум о взаимопонимании (MOU) с Red Hat компания Samsung подписала в мае 2022 года. Партнёрство охватывает широкий спектр решений, включая NVMe-накопители и собственно память CXL.

Одна из крупнейших южнокорейских интернет-компаний Naver и местный гигант Samsung, по сообщению ресурса BusinessKorea, разработали специализированный ИИ-чип, который, как утверждается, обладает гораздо более высокой энергетической эффективностью по сравнению с другими аналогичными продуктами на коммерческом рынке. Ранее Naver из-за дефицита NVIDIA H100 вынужденно перешла на использование Intel Xeon в некоторых ИИ-задачах.

Подробностей об изделии не слишком много. Известно, что пока оно реализован посредством FPGA. Для снижения энергопотребления задействована память LPDDR, но её тип и объём не раскрываются. По имеющимся данным, новинка Samsung и Naver показывает приблизительно восьмикратный выигрыш в энергопотреблении по отношению к ускорителю NVIDIA H100. При этом не называются показатели быстродействия, а поэтому судить о производительности в расчёте на 1 Вт затрачиваемой энергии пока не представляется возможным.

Источник изображения: pixabay.com

Представители Naver, как отмечает ресурс DigiTimes, говорят, что конкурирующие ИИ-решения обычно используют 16-бит представление чисел, тогда как новый продукт Samsung и Naver оперирует 4-бит значениями, благодаря чему и достигается улучшение общих показателей. На создание изделия ушёл приблизительно год — Samsung и Naver сотрудничают над проектом с декабря 2022-го. Планируется, что новые чипы будут использоваться для поддержания работы масштабной ИИ-модели Naver HyperCLOVA X объёмом более 200 млрд параметров.

Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Memory Tech Day сообщила о начале поставок образцов микросхем памяти HBM3E нового поколения с кодовым названием Shinebolt. Утверждается, что изделия Shinebolt обеспечивают прирост производительности примерно на 50 % по сравнению с чипами HBM3E предыдущего поколения (Icebolt). Пропускная способность в расчёте на контакт достигает 9,8 Гбит/с против 6,4 Гбит/с у Icebolt.

Источник изображения: Samsung

Таким образом, общая пропускная способность микросхем Shinebolt составляет до 1,228 Тбайт/с. Это позволяет использовать память в высоконагруженных системах, обрабатывающих приложения генеративного ИИ и машинного обучения. С целью повышения плотности компоновки и улучшения тепловых характеристик Samsung оптимизировала свою технологию непроводящей пленки (NCF): это позволило минимизировать зазоры между слоями чипа и максимизировать теплопроводность. Samsung планирует производить 12-ярусные чипы Shinebolt с максимальной ёмкостью 36 Гбайт.

Среди других продуктов, представленных компанией Samsung на мероприятии Memory Tech Day, — 32-гигабитные чипы DDR5 DRAM, первая в отрасли память GDDR7 с пропускной способностью 32 Гбит/с и архитектура PBSSD для создания решений «петабайтного класса».