Компания Everspin Technologies сообщила о том, что её чипы магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) войдут в состав вычислительных накопителей IBM FlashCore Modules (FCM) четвёртого поколения. Это обеспечит дополнительный уровень защиты данных при отключении питания.

Речь идёт о применении изделий Everspin Persyst EMD4E001G ёмкостью 1 Гбит. Эти высокопроизводительные энергонезависимые чипы выполнены по технологии STT-MRAM (запись данных с помощью переноса спинового момента).

Источник изображения: Everspin

Изделия Everspin используют интерфейс DDR4. Заявленная скорость передачи информации в режимах чтения и записи достигает 2,7 Гбайт/с. В случае внезапного сбоя питания критически важные данные могут быть быстро перенесены в память STT-MRAM, что обеспечит их сохранность.

Что касается FCM4, то это проприетарные накопители IBM, выполненные на 176-слойных чипах TLC NAND. Вместимость составляет 4,8, 9,6, 19,2 или 38,4 Тбайт. Реализована технология защиты от вредоносного ПО, работающая на уровне прошивки. Накопители анализируют I/O-операции с помощью ИИ-алгоритмов, оперативно выявляя проникновение программ-вымогателей и других зловредов.

Согласно прогнозам Technavio, показатель CAGR (среднегодовой темп роста в сложных процентах) на мировом рынке MRAM составит 37,39 % до 2026 года. Таким образом,  прирост продаж в денежном выражении с 2021-го по 2026 год достигнет $1,43 млрд.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), анонсировала новые чипы STT-MRAM высокой плотности семейства EMxxLX. Изделия рассчитаны на применение в устройствах промышленного Интернета вещей, системах автоматизации, медицинских приборах, авиационном оборудовании и пр.

Утверждается, что EMxxLX — это наиболее высокопроизводительная энергонезависимая память, доступная в настоящее время на коммерческом рынке. Задействована технология STT-MRAM, то есть запись данных с помощью переноса спинового момента.

Источник изображения: Everspin

Память Everspin использует последовательный интерфейс xSPI. Заявленная скорость передачи информации в режимах чтения и записи достигает 400 Мбайт/с через восемь IO-линий с тактовой частотой 200 МГц. Плотность анонсированных изделий варьируется от 4 до 64 Мбит. Использована корпусировка DFN размером 5 × 6 мм, которая обеспечивает экономию площади на 37 % по сравнению с существующими решениями. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +105 °C.

Разработчик заявляет, что решения EMxxLX могут стать альтернативой SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM и NOR. В настоящее время поставляются образцы EMxxLX ёмкостью 4 Мбит.

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), обнародовала показатели деятельности во II четверти 2023 года, которая была закрыта 30 июня. Общая выручка составила $15,7 млн, что на 7 % большее прошлогоднего результата, равного $14,7 млн.

Продажи MRAM-продуктов, включая Toggle MRAM и STT-MRAM, за трёхмесячный период оказались на уровне $13,4 млн. Это незначительно больше результата годичной давности, когда соответствующие изделия принесли $13,2 млн.

Источник изображения: Everspin

Денежные поступления от лицензирования, выплаты роялти и других направлений деятельности составили около $2,3 млн, тогда как во II квартале 2022 года этот показатель был зафиксирован на отметке около $1,5 млн.

Чистая квартальная прибыль, рассчитанная в соответствии с общепризнанными принципами бухгалтерского учёта (GAAP), достигла $3,9 млн, или приблизительно $0,19 в пересчёте на одну ценную бумагу. Для сравнения: годом ранее эти показатели равнялись соответственно $1,7 млн и $0,08. Таким образом, Everspin увеличила чистую прибыль более чем в два раза. В целом, компания сохраняет прибыльность девять кварталов подряд, что говорит об устойчивости бизнеса.

В текущем квартале Everspin рассчитывает показать выручку от $15,4 млн до $16,4 млн. Чистая прибыль, как ожидается, будет лежать в диапазоне от $0,01 до $0,06 на одну ценную бумагу.

Компания Technavio подготовила отчёт с анализом глобального рынка MRAM — магниторезистивной памяти с произвольным доступом. Аналитики полагают, что до 2026 года отрасль будет демонстрировать устойчивый рост, более трети которого придётся на Азиатско-Тихоокеанский регион (APAC).

Technavio учитывает различные типы MRAM, включая STT MRAM и T MRAM. Рассматриваются такие секторы, как автомобильная, аэрокосмическая и оборонная промышленности, корпоративные системы хранения данных, бытовая электроника и робототехника.

Источник изображения: Technavio

Согласно прогнозам, в период до 2026 года показатель CAGR (среднегодовой темп роста в сложных процентах) на мировом рынке MRAM составит 37,39 %. В результате, прирост в денежном выражении с 2021 по 2026 год достигнет $1,43 млрд. Примерно 37 % от этой суммы придётся на APAC. Автомобильный, аэрокосмический и оборонный сегменты будут составлять значительную долю мировой отрасли в течение рассматриваемого периода.

Одним из главных драйверов рынка называется низкое энергопотребление чипов MRAM, что позволяет применять их, например, в беспроводных датчиках с батарейным питанием. Ещё одно преимущество этого типа памяти — энергонезависимость. Поэтому, как отмечается, интеграция MRAM в смартфоны станет ключевой тенденцией развития отрасли. Однако существуют и сдерживающие факторы. Сравнительно невысокая плотность модулей MRAM снижает темпы внедрения памяти. Её использование затруднено в сегментах ЦОД и облачных платформ.