Материалы по тегу: mram

30.10.2023 [14:33], Сергей Карасёв

Everspin представила индустриальные чипы STT-MRAM высокой плотности

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), анонсировала новые чипы STT-MRAM высокой плотности семейства EMxxLX. Изделия рассчитаны на применение в устройствах промышленного Интернета вещей, системах автоматизации, медицинских приборах, авиационном оборудовании и пр.

Утверждается, что EMxxLX — это наиболее высокопроизводительная энергонезависимая память, доступная в настоящее время на коммерческом рынке. Задействована технология STT-MRAM, то есть запись данных с помощью переноса спинового момента.

 Источник изображения: Everspin

Источник изображения: Everspin

Память Everspin использует последовательный интерфейс xSPI. Заявленная скорость передачи информации в режимах чтения и записи достигает 400 Мбайт/с через восемь IO-линий с тактовой частотой 200 МГц. Плотность анонсированных изделий варьируется от 4 до 64 Мбит. Использована корпусировка DFN размером 5 × 6 мм, которая обеспечивает экономию площади на 37 % по сравнению с существующими решениями. Диапазон рабочих температур простирается от -40 до +105 °C.

Разработчик заявляет, что решения EMxxLX могут стать альтернативой SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM и NOR. В настоящее время поставляются образцы EMxxLX ёмкостью 4 Мбит.

Постоянный URL: http://servernews.kz/1095195
08.09.2023 [11:23], Сергей Карасёв

Производитель MRAM-продуктов Everspin девятый квартал подряд получает прибыль, но очень скромную

Компания Everspin Technologies, разработчик магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), обнародовала показатели деятельности во II четверти 2023 года, которая была закрыта 30 июня. Общая выручка составила $15,7 млн, что на 7 % большее прошлогоднего результата, равного $14,7 млн.

Продажи MRAM-продуктов, включая Toggle MRAM и STT-MRAM, за трёхмесячный период оказались на уровне $13,4 млн. Это незначительно больше результата годичной давности, когда соответствующие изделия принесли $13,2 млн.

 Источник изображения: Everspin

Источник изображения: Everspin

Денежные поступления от лицензирования, выплаты роялти и других направлений деятельности составили около $2,3 млн, тогда как во II квартале 2022 года этот показатель был зафиксирован на отметке около $1,5 млн.

Чистая квартальная прибыль, рассчитанная в соответствии с общепризнанными принципами бухгалтерского учёта (GAAP), достигла $3,9 млн, или приблизительно $0,19 в пересчёте на одну ценную бумагу. Для сравнения: годом ранее эти показатели равнялись соответственно $1,7 млн и $0,08. Таким образом, Everspin увеличила чистую прибыль более чем в два раза. В целом, компания сохраняет прибыльность девять кварталов подряд, что говорит об устойчивости бизнеса.

В текущем квартале Everspin рассчитывает показать выручку от $15,4 млн до $16,4 млн. Чистая прибыль, как ожидается, будет лежать в диапазоне от $0,01 до $0,06 на одну ценную бумагу.

Постоянный URL: http://servernews.kz/1092720
02.02.2023 [13:50], Сергей Карасёв

На мировом рынке памяти MRAM прогнозируется стремительный рост

Компания Technavio подготовила отчёт с анализом глобального рынка MRAM — магниторезистивной памяти с произвольным доступом. Аналитики полагают, что до 2026 года отрасль будет демонстрировать устойчивый рост, более трети которого придётся на Азиатско-Тихоокеанский регион (APAC).

Technavio учитывает различные типы MRAM, включая STT MRAM и T MRAM. Рассматриваются такие секторы, как автомобильная, аэрокосмическая и оборонная промышленности, корпоративные системы хранения данных, бытовая электроника и робототехника.

 Источник изображения: Technavio

Источник изображения: Technavio

Согласно прогнозам, в период до 2026 года показатель CAGR (среднегодовой темп роста в сложных процентах) на мировом рынке MRAM составит 37,39 %. В результате, прирост в денежном выражении с 2021 по 2026 год достигнет $1,43 млрд. Примерно 37 % от этой суммы придётся на APAC. Автомобильный, аэрокосмический и оборонный сегменты будут составлять значительную долю мировой отрасли в течение рассматриваемого периода.

Одним из главных драйверов рынка называется низкое энергопотребление чипов MRAM, что позволяет применять их, например, в беспроводных датчиках с батарейным питанием. Ещё одно преимущество этого типа памяти — энергонезависимость. Поэтому, как отмечается, интеграция MRAM в смартфоны станет ключевой тенденцией развития отрасли. Однако существуют и сдерживающие факторы. Сравнительно невысокая плотность модулей MRAM снижает темпы внедрения памяти. Её использование затруднено в сегментах ЦОД и облачных платформ.

Постоянный URL: http://servernews.kz/1081261
02.08.2022 [22:28], Алексей Степин

Упавшее знамя SCM подхватит второе поколение Kioxia XL-Flash, а встраиваемые системы получат быструю STT-MRAM

На днях Intel устроила похороны Optane — быстрая, но не слишком технологичная в производстве память обошлась «синим» в полмиллиарда долларов убытков. Однако Optane хоть и был самым заметным и распространённым представителем SCM-решений (Storage Class Memory), но всё же не единственным. Вслед за Optane на рынок вышли Samsung Z-SSD, всё ещё крайне редкие.

Тем не менее, накопители с подобными характеристиками востребованы и рынок, как и природа, не терпит пустоты: сразу две компании, Kioxia и Everspin Technologies объявили о выпуске новых продуктов, способных заменить решения на базе 3D XPoint. Это XL-Flash и STT-MRAM соответственно.

 Источник: Kioxia

Источник: Kioxia

Продукт Kioxia построен на тех же принципах, что и технология Z-SSD у Samsung: в основе лежит флеш-память, в данном случае это BiCS 3D-NAND, но работающая с меньшим количеством уровней на ячейку. В первом поколении XL-Flash фактически был реализован режим SLC (как и у Samsung), что делало такую память малоёмкой и дорогой. Сейчас Kioxia представила второе поколение, поддерживающее режим MLC, с двумя битами на ячейку.

При этом было увеличено количество слоёв, могущих работать параллельно, так что производительность не пострадала, а по имеющимся на момент анонса данным, даже возросла. Новое поколение XL-Flash будет доступно в чипах объёмом 256 Гбит, что вдвое больше показателя аналогичной памяти первого поколения. Kioxia справедливо считает, что её память найдёт применение в пулах CXL-памяти при построении ЦОД нового поколения.

 Ячейка STT-MRAM. Источник: Everspin Technologies

Ячейка STT-MRAM. Источник: Everspin Technologies

Решение Everspin иное, хотя тоже принципиально не новое — магниторезистивная памяь (spin-transfer torque, STT) существует довольно давно. Она обладает крайне низкой латентностью, высокой энергоэффективностью, может хранить данные более 10 лет и практически не изнашивается, но обладает и серьёзным недостатком: низкой плотностью хранения данных. До недавних пор на основе STT-MRAM производились лишь кеширующие или встраиваемые в другие решения модули крайне ограниченного объёма, не превышающего 1–2 Гбайт.

Новое поколение, EM128LX, представленное Everspin Technologies, имеет ёмкость 128 Мбит на чип, что вдвое больше предыдущего EM064LX. Производительность записи составляет до 233 Мбайт/с. Новинка предназначена, в основном, для встраиваемых систем, в том числе на базе FPGA. Она будет поставляться на рынок в двух вариантах исполнения: 24-контактном BGA и 8-контактном DFN. В обоих случаях используется интерфейс xSPI. Массовые поставки Everspin планирует начать в начале следующего года.

Постоянный URL: http://servernews.kz/1071402
Система Orphus